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学术报告与材料研究前沿
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杨为佑研究员学术报告会
澳门赌城网址:2013-10-17   浏览次数:次

题目:SiC低维纳米结构生长控制及其电子发射特性

主讲:杨为佑

时间:10月17日16:00

地点:材料楼304

主办:材料学院

主讲概况:杨为佑,宁波工程学院研究员,2005年11月毕业于清华大学材料科学与工程系,获工学博士学位,2006年3月于宁波工程学院材料工程研究所工作至今。长期从事无机非金属微纳米结构的可控合成、性能及其器件研发。现主持承担国家自然科学基金2项,宁波市国际合作项目1项,完成宁波市自然科学基金1项。迄今已在国际知名期刊上发表SCI论文38篇(第一和通讯编辑24 篇)。申请国家发明专利12项,已授权3项。2008年应邀为美国科学出版社《纳米科学与技术百科全书》撰写其中一个章节。获第十三届(2007年)浙江省青少年英才三等奖,宁波市“4321”人才工程第二层次培养人才。

主讲内容:先容SiC低维纳米材料的研究背景和实验方案,通过对其晶体生长和掺杂控制的研究,实现SiC低维纳米结构生长的同时,达到均匀掺杂效果;明显改善了SiC低维纳米材料的场发射性能,可为其在真空电子和显示等领域的应用提供理论依据。

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